記憶容量、ＤＲＡＭの１０倍以上へ 東北大が新素子

東北大学の大野英男教授らは電子の磁石の性質を利用しデータを記憶する半導体メモリー「ＭＲＡＭ」で、新型の素子を開発した。携帯端末やパソコンに搭載するＤＲＡＭの10倍以上の記憶容量が期待でき、省エネにも役立つ。企業と組んで５年後の製品化を目指し、ＤＲＡＭの代替を狙う。

開発したのはスマートフォン（スマホ）などの中で演算素子と組み合わせ、高速演算中のデータを保存するメモリー素子。電流で磁石の向きを変えてデータを書き換える記録方式で「ＳＴＴ―ＭＲＡＭ」と呼ぶ。電源がオフの状態でも情報を保つ。この方式は2018年度にも製品化される見通しだが、素子の線幅が約20ナノ（ナノは10億分の１）メートルにとどまっている。

研究チームは素子の形などを工夫し微細化を実現した。線幅8.8ナノメートルの素子を作り、動作することを確かめた。深見俊輔准教授は「数百ギガ（ギガは10億）ビットの大容量メモリーが実現できる」と話す。日経新聞より